創新科技及工業局局長出席第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮致辭全文

07月30日 15:42 香港政府新聞公報 news-hk-auto-hilite

以下是創新科技及工業局局長孫東教授今日（七月三十日）出席「第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動禮」的致辭全文：

廖博士（麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韜博士）、Albert（香港科技園公司行政總裁黃克強）、Lillian（創新科技及工業局副局長張曼莉）、各位嘉賓、女士們、先生們：

大家下午好！我非常高興今天參加麻省光子技術（香港）有限公司（麻省光子技術）在港興建第三代半導體氮化鎵外延片中試線啟動禮。

香港要因地制宜發展新質生產力，必需發揮好我們的國際化優勢和雄厚的科研實力，支持優勢科技產業在港發展，而第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。

今天，我非常高興迎來全球氮化鎵外延工藝先驅企業——麻省光子技術公司落戶香港。氮化鎵外延工藝是發展第三代半導體的關鍵技術，能夠優化產品性能，提升穩定性，為行業帶來革命性突破。這次麻省光子技術在港投資設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，以及依托即將成立的微電子中心，準備投資超過兩億港幣建立首條高階量產型八寸車規級氮化鎵外延片中試線，將加速推動香港新型工業化，以及微電子生態圈的發展。

這次麻省光子技術落戶香港也助力香港壯大創科人才庫。麻省光子技術由氮化鎵外延技術專家廖博士創立，廖博士過去在相關領域取得超過40項國際專利，成就非凡；他帶領的團隊由世界各地的專家組成，除了為香港帶來全球領先的前沿技術之外，更能匯聚環球微電子專業人才，促進技術交流。這正好回應了三中全會提到支持香港打造國際高端人才集聚高地。

全球半導體產業正急速發展，規模預計在二○三○年可超過一萬億美元，潛力無限。特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展。香港微電子研發院將於今年內成立，並將設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協助初創、中小企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。這次麻省光子技術落戶香港確切回應了我們的發展戰略，我們會繼續引入更多優秀的科技企業來港發展和投資，發揮協同效應，讓微電子及其他科技產業在香港做大做強。

今天有關中線試的啟動標誌着香港微電子產業的新里程。特區政府會繼續完善香港創科生態圈，為微電子產業打造有利環境和堅實基礎，進一步推動香港新型工業化，促進新興實體經濟在香港的快速發展，為香港經濟轉型做出貢獻。

最後，我衷心祝願麻省光子技術在香港大展鴻圖！謝謝大家。