歐洲三大芯片巨頭，重新審視供應鏈

本文來自微信公眾號：電子工程世界（ID：EEworldbbs），作者：冀凱、付斌，題圖來自：AI生成

在上週剛剛舉辦的Electronica 2024 CEO圓桌論壇上，英飛淩、恩智浦以及意法半導體三家芯片巨頭CEO齊亮相，三家CEO集體表達了對中美關係的擔憂，同時三位也有一個共識，即中國在全球半導體供應鏈中扮演著越來越重要的角色，尤其是在電動汽車和工業領域。

討論中提到，中美的政策和限制對全球半導體供應鏈產生了影響，企業需要適應這些變化。同時，由於中國正在大力投資半導體產業，包括建設新的晶圓廠，以減少對外部供應鏈的依賴。因此歐洲公司也需要理解「中國製造」戰略，並積極擴展在中國的生產和研發佈局，以及與中國合作夥伴的合作。

一方面中國早已成為了歐洲半導體巨頭的重點市場，同時伴隨著全球經濟的不確定性，三家歐洲半導體公司都不約而同地變革供應鏈，以滿足中國強烈的市場需求以及全球的低迷。

英飛淩：全方位降低功率器件成本

全面發力矽、碳化矽以及氮化镓的英飛淩正在不斷降低這三類產品的成本。另外，英飛淩也宣佈暫緩居林二期的擴產，以確保實施「正確的」產能計劃。

首先，在矽方面，英飛淩10月29日宣佈推出全球最薄矽功率晶圓，成為首家掌握20μm超薄功率半導體晶圓處理和加工技術的公司。這一突破使得晶圓的厚度減半（從40μm減少到20μm），電阻減半，同時降低功率損耗超過15%，為更節能的電力系統鋪平道路。

反觀中國競爭對手晶圓厚度在80μm～100μm間，西方和日本競爭對手則為40～60μm。該技術將主要應用於AI服務器的DC/DC轉換器。不過，值得注意的是這也是國產製程為數不多的直接與英飛淩對比，至少登上了餐桌，也證明了英飛淩對中國對手的關注。

其次，在碳化矽方面，隨著馬來西亞居林第三廠區（Kulim 3）啟用（8月9日一期建設正式啟動運營），英飛淩有望成為業界最具競爭力的碳化矽技術供應商，同時該廠將成為全球最大且最具競爭力的200mm碳化矽功率半導體晶圓廠。此前，英飛淩曾稱，將在未來五年在Kulim投入高達50億歐元用於擴產。

英飛淩的碳化矽包括四點優勢：在原材料供應上，擁有超過6家的晶圓和晶棒供應；擁有先進的溝槽技術，比平面碳化矽性能高出30%；擁有行業最佳的封裝解決方案，在.XT技術加持下獲得最高的功率密度；擁有數十年的經驗，不僅擁有最廣泛的產品組合，也可定製解決方案。

值得一提的是，Kulim 3將與英飛淩在奧地利菲拉赫（Villach）一起建立彈性的供應。目前，Villach廠200mm SiC試點項目進展順利，選定大批量技術資格鑒定幾近完成，SiC原材料實現多方供應，晶圓良率優於或等於150mm。根據英飛淩的計劃，Villach和Kulim將在資格認證的3年內完全過渡到200mm，將在2025年Q1開始推出基於200mm的產品，並在200mm上開發新產品。

結合此前新聞來看，加上Villach和Kulim計劃的200mm SiC轉換，英飛淩預計對於碳化矽的投資將在2030年前帶來約70億歐元的年SiC收入潛力。英飛淩對於製造的投入也將支持英飛淩在2030年前實現近30%的SiC市場份額目標。

最後，在氮化镓方面，英飛淩9月12日宣佈率先開發全球首項300mm氮化镓功率半導體技術。按照英飛淩的說法，這項技術能夠徹底改變行業的遊戲規則，相較於200mm晶圓，300mm晶圓芯片生產不僅在技術上更先進，也因晶圓直徑擴大，每片晶圓上芯片數量增加了2.3倍，顯著提高了效率。目前，英飛淩已在Villach廠利用現有300mm矽生產設備的整合試產線，成功地生產出300mm GaN晶圓。

恩智浦：繼續發揮混合IDM的優勢

恩智浦預計未來到2030年間，其晶圓使用量將增長1.5倍。

為此，恩智浦製定了詳細的混合製造模式，尤其是前端工藝，到2030年要從目前40%佔比減少到20%佔比，後道比率保持不變。

兩則重磅新聞：一是歐洲台積電與恩智浦、博世和英飛淩合資建立ESMC，二是恩智浦與世界先進在新加坡合資建立VSMC。

合資公司ESMC全稱European Semiconductor Manufacturing Company，該項目基於歐盟委員會公佈的《芯片法案》框架進行規劃，項目位於德國德累斯頓。計劃中的合資公司將由台積電持股70%，博世、英飛淩和恩智浦半導體各持股10%。工廠預計在2027年首次生產，晶圓產能可達4萬片/月。使用台積電28/22nm CMOS和16/12nm FinFET工藝技術，每月生產約40000個300mm晶圓。

根據恩智浦的規劃，5億美元的股權融資將支持恩智浦每年20億美元的收入。

合資公司VSMC全稱VisionPower Semiconductor Manufacturing Company，總投資額為78億美元，恩智浦持股將達到40%。合資公司將於2024年下半年正式啟動建設，計劃2027年實現量產並開始向客戶供應首批芯片產品，預計到2029年寸晶圓產能達到5.5萬片/月。

根據恩智浦的規劃，28億美元的股權融資將支持恩智浦每年40億美元的收入。

對於馬來西亞吉隆坡封測廠，恩智浦將會繼續擴大投入，增加到6Mu/周。根據規劃，11億美元的投入將會支持恩智浦每年30億美元的收入。

恩智浦特別提到了中國市場。在中國，恩智浦選擇台積電南京、中芯國際、華虹分別開發16/28nm、40nm以及180nm不同種類的產品。天津封測廠完成80%的內部製造，20%由外部實現。

意法半導體：重塑製造業務並調整結構成本

在意法半導體（ST）舉辦的投資者峰會上，ST重申了其到2030年實現200億美元以上收入的宏偉目標，並預計屆時營業利潤率將超過30%。

ST正在執行其製造重塑計劃，這涉及到對製造業務的重新配置和優化。通過這一計劃，ST預計將在2027年實現與當前成本基礎相比高達數億美元的節省，這將有助於公司達到22%至24%的營業利潤率。

ST繼續在BCD和其他寬帶隙技術方面進行創新，以提高設計的靈活性和性能。公司在矽和寬帶隙材料的高能效應用方面不斷取得進展，特別是在碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）技術方面。

透過全球合作夥伴網絡，ST旨在幫助客戶減少開發時間和成本，縮短產品上市時間，以獲得更高的市場份額、收入和銷售增長。

ST也格外關注製造的多重供應。前端高質量製造中心包括意大利Agrate 300mm混合信號廠、意大利Catania 200mm SiC（垂直整合）廠、法國Crolles 300mm數字廠、三安合資200mm SiC廠，後端高質量製造中心包括馬來西亞Muar先進引線和麵板級封裝廠、中國深圳電源封裝（模塊、分立、KGD）、馬耳他Kirkop全工業4.0封裝廠。

從佔比來看，ST前端晶圓外部代工佔比達到20%，後端封測外部代工佔比達到35%。

差異化技術是ST的基礎，包括MEMS、智能電源BCD、FD-SOI CMOS、分立、功率MOSFET、IGBT、SiC、GaN、eNVM CMOS、垂直智能電源、光學傳感解決方案等。實現這些解決方案的基礎是封裝技術，包括引線、層壓、傳感器模塊、晶圓級。

在差異化方案中，ST也對產品進行了一定的規劃，包括：BCD Auto（BCD GaN電磁隔離）、第四/五代SiC技術、超結/LV/HV PMOS、六軸MEMS、壓力傳感器、3D堆疊傳感器、平面光學元件、55nm BiCMOS、28nm RF FD-SOI、40nm模擬ePCM、18nm FD-SOI ePCM。