在英特爾U200S平台經曆了滑鐵盧後，發揮正常的AM5 9000平台就成了老藝術家，而9800X3D更是遊戲玩家升級的理想選擇，各大內存廠家也在第一時間根據AMD特有的IOD分頻策略推出專屬的低延遲DDR5內存套裝；最近管家更換成了9700X測試平台，並同時入手了來自BIWIN佰維的DW100時空行者DDR5電競內存6000 CL28，容量為16Gx2，其C28時序低延遲特性幾乎是為AM5平台而生的，在這裏做個簡單開箱超頻試玩給大夥分享一下~

 

產品開箱

佰維BIWIN DW100時空行者DDR5 32G內存套裝（下文簡稱“佰維DW100”）在包裝風格上頗有氣質，純黑配色配合產品渲染圖，其RGB特性搭配熔岩背景圖頗有浴火重生的味道，從包裝信息可以看到，佰維DW100支援各大主板廠家ARGB燈效同步功能，內存獲得2024年德國紅點獎、2024法國設計獎以及2025 CES創新獎。

包裝正面

 

本次入手規格為16Gx2 6000MHz套裝

 

DW100最近還推出了OCLAB版本，值得期待

 

2024德國紅點獎+法國設計獎

 

BIWIN佰維是深耕儲存產品多年老牌了

 

包裝背面

 

產品特性&中國製造

在產品特性上，佰維DW100配備了自家設計的高性能散熱馬甲並支援英特爾XMP、AMD EXPO一鍵超頻、on-die ECC技術並支援ASUS/MSI/Gigabyte/ASRock四家主板內存燈效同步軟件，產品本身由中國製造並享有終身質保服務，符合其高端超頻內存產品定位。

 

多國安規認證+終身質保

 

沒有附件~

作為一款高端定位的超頻內存產品，佰維DW100本身並沒有配備其他附件，考慮到本身內存6000MHz規格亦不像8000MHz那樣需要配備風扇改善散熱，可以說該有的都有了，玩家可以做到上手即用。

 

產品細節

管家本次入手的佰維DW100為白色版本，內存外觀上使用了三位面交叉錯位的奇幻時空主題搭配頂部ARGB燈帶，視覺上方正的造型多了幾分立體感；內存散熱採用表面電泳工藝處理的2mm鋁合金馬甲，在保證散熱性能的同時手感也更細膩一些；內存PCB為常見的黑色。

 

內存正面

作為一款超頻內存產品，佰維DW100的散熱馬甲無論是設計還是用料都非常考究，2mm厚度的散熱馬甲大幅提升熱容降低發熱，同時非對稱的設計在視覺上增強了立體感；相比DDR4時代而言，DDR5本身加入了PMIC電源管理芯片，精確的電壓控制也增加了內存發熱，加厚馬甲設計就變得很有必要了。

 

BIWIN佰維

 

DDR5內存種類

 

時空主題的造型更強調立體感

在佰維DW100背面我們可以看到，內存顆粒來自SK海力士，內存工作時序為CL28 35 35 72，工作電壓為1.4V，另外，內存為單面顆粒設計。

 

內存背面

目前市售針對AMD AM5平台專屬優化的6000MHz頻率DDR5內存有大約3種時序規格，分別為CL26/28/30三種，能上CL28屬於在大眾體質基礎上進行特挑篩選的優質顆粒，雖然離CL26這種極限篩選的存在一些距離，但CL28在主板QVL認證及兼容性上則更廣泛一些。

 

銘牌參數一覽

不同於之前RGB時代各廠家採用細磨砂表面的霧面燈帶，佰維DW100在採用均勻發光材料的前提下使用了光面表面設計，實際上機的時候該特性能反射其他設備，搭配柔和的RGB燈效，視覺體驗很棒。

 

內存頂部RGB燈帶

 

DW100字樣特寫

在細節方面，佰維DW100採用雙面高性能導熱墊覆蓋內存顆粒和PMIC電源管理芯片模塊，該設計之前更多在6800~8000MHz高頻內存中使用，能有效改善烤機場景下的穩定性表現。

 

內存採用單面顆粒設計

 

雙層高性能導熱墊

簡單燈效鑒賞

佰維DW100作為一款支援ARGB燈效的內存產品，其燈效顏值是相當不錯的，整體燈效柔和且美觀，管家就不多描述了，大夥直接看圖吧，內存燈光效果照片為主板預設狀態RGB循環，系統沒有安裝同步軟件下拍攝。

 

內存頂部燈效一覽（熄燈環境）

 

內存頂部燈光效果一覽（開燈環境）

 

來一張頂部特寫

 

右則視覺一覽（熄燈環境）

 

頂部DW100 LOGO特寫

 

燈光過渡柔和

 

左側視覺一覽（熄燈環境）

 

正面視覺（開燈環境）

 

內存尾部兩側燈效對比A

 

內存尾部燈效對比B

 

尾部燈效特寫

 

還是挺酷炫的

 

大概就這樣了~

上機性能測試&簡單超頻

本次測試使用的平台為9700X+MSI X870 TOMAHAWK，主板解鎖功耗上限並鎖定全核心頻率5GHz，關閉各種節能和PBO，同時核心電壓和NB/SOC都使用override模式進行覆寫+LLC mode03，測試系統為WIN10 22H2（版本號19045.4170），測試日期為2025年2月28日，室溫20度/濕度90%+。

 

測試平台信息

 

BIOS內存信息

通過主板內存信息界面和CPUZ可以看到，佰維DW100在未開啟A-XMP和EXPO一鍵超頻的情況下，預設運作在5600MHz CL46下的；在預設5600MHz下，AIDA64內存緩存測試成績相對保守，內存讀取57771MB/s，內存寫入72267MB/s，內存複製54939MB/s，內存延遲91.3ns。

 

內存預設AUTO 5600MHz CL46

 

AIDA64內存緩存測試（AUTO 5600MHz CL46）

 

開啟BIOS中的EXPO或A-XMP

在主板中打開A-XMP或EXPO即可實現一鍵超頻，作為AMD平台也理所當然開啟EXPO了，一鍵超頻流程非常順利，內存成功超頻至6000MHz CL28 35 35 72，值得注意的是，在部分版本BIOS下需要手動設定別讓CPU分頻，也就是截圖中的UCLK=MEMCLK。

 

XMP非常順利

在XMP 6000MHz CL28 UCLK=MEMCLK設定下，佰維DW100的各方面性能有了明顯提升，內存讀取達到59317MB/s，內存寫入81425MB/s，內存複製56361MB/s，內存延遲下降至77.3ns，提升較為明顯；通過RunMemtestPro 烤機2小時27分362%穩定過測，EXPO超頻設定下穩定性沒有問題。

 

AIDA64內存緩存測試（XMP 6000MHz CL28 UCLK=MEMCLK）

 

RunMemtestPro 29475MB烤機2小時27分362%穩定過測

當然了，AMD的9000系列在IOD體質上有了稍微改善，在CPU體質較好的情況下，非分頻狀態下是能實現6400MHz內存超頻的，所以管家使用主板自帶的Memory Try it內存超頻功能加載6400MHz CL32 38 38 86設定檔，嚐試進行簡單超頻。

 

Memory try it預設超頻6400MHz CL32

 

成功開機進系統

超頻過程非常順利，在6400MHz CL32 UCLK=MEMCLK設定下，佰維DW100在內存寫入性能上得到進一步提升，達到了84749MB/s，內存延遲則為77ns，略微下降；內存讀取和複製基本上維持XMP下的表現，這一狀況與AMD單核心die設計有關，想發揮完整內存讀取和複製需要搭配9900X和9950X這類雙核心die處理器。

 

AIDA64內存緩存測試（6400MHz CL32 UCLK=MEMCLK）

在6400MHz CL32 UCLK=MEMCLK設定下，通過RunMemtestPro 29535MB烤機2小時12分331%成功穩定過測，可以說在保證延遲略微提升的前提下進一步增加內存寫入性能，也算一個不錯的選擇。

 

RunMemtestPro 29535MB烤機2小時12分331%穩定過測

結語：AM5平台低延遲搭檔

 

在本次開箱超頻試玩中，佰維DW100時空行者DDR5電競內存6000 CL28 16GB×2的表現是相當亮眼的，作為針對AMD AM5平台專屬優化的超頻內存產品，其預設XMP/EXPO設定達到6000MHz CL28，可以說是AMD平台DDR5超頻的最優解之一，讓內存延遲從91ns下降至77ns，表現相當亮眼；電泳工藝處理2mm鋁合金馬甲+雙面高性能導熱墊，保證內存顆粒和PMIC在高壓狀態下低溫+穩定，而時空主題外觀搭配RGB亮面燈帶設計顏值拉滿；內存本身支援終身質保，通過簡單超頻即可實現6400MHz CL32，在可靠性和可玩性上都有所保障，值得肯定。

管家認為，佰維DW100時空行者DDR5電競內存6000 CL28 16GB×2是一款針對AMD平台專屬優化的內存套裝產品，適合搭配AMD 9000X系列處理器乃至9800X3D這種遊戲神U來提升整機性能。