三井金屬將量產半導體熱膨脹抑製材料

三井金屬的負熱膨脹材料

此前，半導體封裝領域一直使用球狀二氧化矽等「低熱膨脹材料」，但即便混入球狀二氧化矽，封裝也會產生輕微膨脹。相比之下，三井金屬的負熱膨脹材料可實現最大約7倍於其他廠商材料的收縮率……

      三井金屬將於2026～2027年開始量產用於尖端半導體的「遇熱收縮型材料」。 這種材料能夠抑制因加熱而導致的物質膨脹。通過將這種材料混合到英偉達等的圖像處理半導體（GPU）使用的封裝材料中，可以抵消熱膨脹，從而防止半導體封裝的開裂或變形。此舉旨在應對因人工智能（AI）發展而急劇增長的半導體需求。

      在提升半導體性能的過程中，不僅需要將單個芯片的電路微細化，還需將多個芯片集成到基板上。儘管高密度集成會使半導體尺寸增大，但封裝材料在受熱影響下也更容易出現開裂和變形。為了實現尖端半導體的穩定供應，材料方面也需要採取相應的對策。

      三井金屬將量產的是一種名為「負熱膨脹材料」的化合物。

      已基本完成將該化合物混入封裝材料中以抑制樹脂熱膨脹的技術開發，目前正等待封裝材料製造商的認證。若進展順利，最快將於2026年在福岡縣大牟田市的工廠開始生產。

      此前，半導體封裝領域一直使用球狀二氧化矽等「低熱膨脹材料」，但即便混入球狀二氧化矽，封裝也會產生輕微膨脹。

      相比之下，三井金屬的負熱膨脹材料可實現最大約7倍於其他廠商材料的收縮率，因此有望取代現有的低熱膨脹材料。同時，該材料還具備封裝所需的絕緣性能。