如何超頻DDR5內存？朋友“磚家級”超頻詳解

2024新年已至，內存超頻在Intel 14代CPU以及各種Z790主板的加持下似乎真的演變到只要有手就行。不過咱在入手這款HOF PRO DDR5-7000MHz 16G*2內存之後，還是首先向“懂行”的朋友進行了虛心的求教，然後簡單整理了一份我依舊有些懵圈的D5“基礎”超頻教程。當然，以下內容僅供參考，歡迎討論，但不鼓勵“毒打”。

按朋友的說法，首先我們要瞭解並承認，海力士Adie與13/14代CPU的IMC較為友好，在2DIMM的主板下，8000頻率是絕大數都可以達到的。不過ADie在高頻率下比較吃溫度，所以要做好內存的散熱，這是所有使用ADie顆粒內存都需要注意的關鍵點，

然後就可以開始進行超頻操作

朋友教學使用的是AsusZ790 APEX主板，但是處理器僅僅是一顆13600KF。

在開機進入BIOS之後如果是這個界面可以直接跟著我進行操作，如果不是，可以按一下F7進入高級界面即可。

然後我們選擇XMP1，選擇XMP的頻率7000C32這一檔，然後往下翻有內存頻率。可以選擇自己的目標頻率，這裏我直接選擇8000這一檔，如果你的主板不是2槽內存的主板，那要酌情去考慮頻率，一般的4槽主板選擇7400或者7600都是較為簡單的，7800跟8000就需要看自己CPU是否給力了。

選擇完頻率後就是整個OC最為重要的一部分。

CPU與內存的電壓調節

（這裏圖中電壓均為8000過測電壓）

首先是不同主板幾個電壓名稱的關係(HWINFO中關鍵電壓標紅）

CPU電壓：

MSI SA= ASUS SA

（建議範圍1.2v-1.45V）

MSI vddq= ASUS IVR VDDQ =HWINFO中的IVR TX vddq

（建議範圍1.3v-1.45V）這個電壓在Asus主板上並不需要很高 MSI vdd2 = ASUS MEMORY CONTROLLER VOLTAGE =HWINFO中的IMC VDD

（建議範圍1.35v-1.5V）

內存電壓： MSI dram voltage = ASUS memory vdd voltage MSI dram vddq voltage = ASUS memory vddq valtage 同步調整即可（建議範圍1.35V-1.6V）

然後是內存的一些參數，這裏只取重點參數進行建議

tCL:

這個參數一般越低越好，只有雙數值可以選擇，越低越需要更高的內存電壓，也更加吃溫度，在8000頻率如果體質好，可以嚐試C34或者C32，一般和頻率聯動增加或減少即可

tRCD：

吃內存硬體質，增加電壓很難使其優化，根據內存體質來選擇即可

tRAS:

海力士Adie可以壓到很低，不過對效能提升不大，最低可以嚐試28

第二時序

tRDD_L和tRRD_S:

這兩個參數同步即可一般給8或者6，越低越不穩定

tWTR_L和tWTR_S：

AUTO，這個參數由第三時序的tWRRD聯動，對穩定性影響極高

tFAW：

這個參數對跑分效能影響極大，設置32即可

tREFI：

內存的充放電速率，最高值262143，數值越高，性能越好，但是溫度也會越高，非常影響穩定性的一個參數，推薦值是AUTO，65535或者131071

tCWL:

CL值同步或者-2即可，太低影響穩定性

第三時序，

tRDRD_sg與tWRWR_sg同步：

根據頻率設置，一般12-18都可以，對穩定性有一定影響

tRDRD_dg與tWRWR_dg同步：

7或者8都可。 tRDWR_sg與tRDWR_dg同步：

越低性能越高，穩定性越差。

tWRRd_sg與tWRRD_dg：

極度影響穩定性與前文提到的tWTR_L和tWTR_S聯動，建議從AUTO開始同步降低至不穩。

MRC快速啟動以及MCH完全檢查，建議在超頻時進行設置，超頻完成後再調回預設。【PS：挺詳細的，就是一看就會，一動就廢】

電壓時序都說完了，當然直接實操

對於初玩內存OC的朋友們來說，首先要選一個合適的頻率進行嚐試

電壓的優先級來說：CPU MCV＞CPU IVR＞CPU SA，先把這自己CPU的這三個電壓摸清楚即可，不要盲目抄襲他人CPU電壓，可以進行參考。流程上來講先固定一個頻率，將所有參數放到AUTO，內存電壓固定一個值（例如1.4V），CPU的IMC電壓全部AUTO，然後進行測試，如果出錯，則先考慮內存電壓的加減，進行優化，當頻率與內存電壓都摸清楚之後，就可以繼續下一步調整內存小參數與CPU IMC電壓加減，按照優先級進行優化效能即可（這一步雖然文字簡短，但操作非常耗費時間，一定要耐心進行）

接下來是展示HOF PRO D5-7000超頻成果的時候

首先是7600C34頻率，參數縮緊，這裏加裝了內存風扇